2024年2月20日，我國九峰山實驗室成功研發并下線了首片8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，這一突破性成果標志著我國在硅基化合物光電集成技術領域邁出了堅實的步伐。

此次研發的8寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，是通過將8寸SOI硅光晶圓與8寸鈮酸鋰晶圓鍵合，實現單片集成光電收發功能，代表了目前全球硅基化合物光電集成的最先進技術。這一成果不僅可實現超低損耗、超高帶寬的高端光芯片規模制造，而且其綜合性能也是目前全球最優的光電集成芯片。

九峰山實驗室聯合重要產業合作伙伴，基于8寸薄膜鈮酸鋰晶圓，成功研發出與之匹配的深紫外(DUV)光刻、微納干法刻蝕及薄膜金屬工藝，實現了低損耗鈮酸鋰波導、高帶寬電光調制器芯片、高帶寬發射器芯片的集成。這為薄膜鈮酸鋰光電芯片的研制與超大規模光子集成提供了一條極具前景的產業化技術路線，為高性能光通信應用場景提供了工藝解決方案。

近年來，隨著5G通信、大數據、人工智能等行業的快速發展，光子集成技術受到了廣泛關注。鈮酸鋰以其大透明窗口、低傳輸損耗、良好的光電/壓電/非線性等物理性能以及優良的機械穩定性，被認為是理想的光子集成材料。而單晶薄膜鈮酸鋰則為解決光子集成芯片領域長期存在的低傳輸損耗、高密度集成以及低調制功耗需求提供了綜合性能最優的解決方案。

此次九峰山實驗室的成功研發，不僅驗證了我國在光子集成技術領域的實力，也為我國光通信產業的發展注入了新的活力。我們相信，隨著調制速率要求的提高，薄膜鈮酸鋰的優勢將更加明顯，將為未來的通信技術帶來巨大的潛力。

光潤通科技作為我國光通信領域的重要企業，一直致力于推動我國光通信技術的發展。我們對此項突破性成果感到歡欣鼓舞，并將繼續與行業同仁一起，推動我國光通信技術的進步，為我國光通信產業的發展貢獻力量。

預計2025年后，薄膜鈮酸鋰將逐漸商業化，全球范圍內薄膜鈮酸鋰調制市場預計將在2029年達到20.431億美元，在2023到2029年期間復合年均增長率達到41%。我們相信，隨著基于鈮酸鋰的光源、光調制、光探測等重要器件的實現，鈮酸鋰光子集成芯片有望成為高速率、高容量、低能耗光學信息處理的重要平臺，在光量子計算、大數據中心、人工智能及光傳感激光雷達等領域發揮重要作用。

光潤通科技將密切關注這一領域的發展，共同推動我國光子集成技術的發展，為我國光通信產業的繁榮做出更大貢獻。